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Datasheet下载- 型号： 2SC5085-O(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5085-O(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5085-O(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5085-O(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5085-O(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5085-O(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储出品的2SC5085-O(TE85L,F)是一款高频NPN型双极结型晶体管（BJT），专为射频（RF）应用设计。该器件主要用于无线通信系统中的高频放大和信号处理环节，典型应用场景包括移动通信设备（如智能手机、基站模块）、无线局域网（WLAN）、蓝牙模块及物联网（IoT）设备中的射频前端电路。其优异的高频特性（如高截止频率fT可达12GHz）使其适合在UHF和微波频段下稳定工作，可有效放大低噪声射频信号，提升接收灵敏度和传输效率。此外，2SC5085-O采用小型表面贴装封装（如SOT-23），体积紧凑，便于集成于高密度PCB设计中，适用于对空间要求严苛的便携式电子设备。凭借Toshiba在半导体领域的可靠性标准，该型号具备良好的热稳定性和长期工作耐久性，广泛用于消费类电子和工业级无线模块中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SC5085-O(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SC5085-O(TE85LF)TR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB @ 500MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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