Datasheet下载- 型号： BFG310W/XR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG310W/XR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG310W/XR,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG310W/XR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG310W/XR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG310W/XR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG310W/XR,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频放大应用。该器件适用于工作频率高达几GHz的无线通信系统，广泛应用于基站基础设施、无线回传、微波链路和工业射频设备中。 其主要应用场景包括：蜂窝网络中的功率放大器（如GSM、UMTS、LTE等标准的基站模块）、点对点和点对多点通信系统的射频输出级，以及需要高线性度和高效率的小信号或中等功率放大电路。得益于其优良的增益特性、良好的热稳定性和可靠性，BFG310W/XR,115 特别适合在高温或长时间连续运行的环境中使用。 此外，该器件采用表面贴装封装（SOT363-6L），体积小，便于集成于紧凑型射频模块中，适用于空间受限但性能要求高的设计。其稳定的射频性能使其在专业通信设备和工业级系统中备受青睐。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R射频双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG310W/XR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG310W/XR,115 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，3V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-1976-6 |
| 功率-最大值 | 60mW |
| 功率耗散 | 60 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB @ 2GHz |
| 增益 | 18dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 14 GHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.01 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 6V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 6 V |
| 集电极连续电流 | 10 mA |
| 零件号别名 | BFG310W/XR T/R |
| 频率 | 14 GHz |
| 频率-跃迁 | 14GHz |
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