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Datasheet下载- 型号： NX7002AK,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX7002AK,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX7002AK,215价格参考￥0.07-￥0.07。NXP SemiconductorsNX7002AK,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 190mA（Ta） 265mW（Ta），1.33W（Tc） TO-236AB（SOT23）。您可以下载NX7002AK,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX7002AK,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX7002AK,215 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET 晶体管，属于 FET（场效应晶体管）系列。以下是其主要应用场景及特点： 1. 低功耗设备 - NX7002AK,215 具有低导通电阻（Rds(on)），适合用于低功耗设计。例如，在电池供电的便携式设备中（如智能手环、无线耳机等），可以作为高效的开关元件。 - 应用场景：移动电源、蓝牙设备、物联网 (IoT) 节点。 2. 负载开关 - 在需要动态控制电路负载的应用中，该器件可以用作负载开关。通过快速切换 MOSFET 的导通和关断状态，实现对下游电路的精确控制。 - 应用场景：USB 接口保护、DC-DC 转换器、电源管理模块。 3. 电机驱动与控制 - 由于其良好的开关特性和耐电流能力，NX7002AK,215 可用于小型直流电机的驱动和控制，例如玩具电机、风扇或微型泵。 - 应用场景：智能家居设备、消费电子产品的电机控制。 4. 信号电平转换 - 在不同电压信号之间进行电平转换时，该 MOSFET 可以用作简单的开关或缓冲器，确保信号完整性。 - 应用场景：逻辑电平转换、通信接口适配。 5. 过流保护与短路保护 - 利用其快速响应特性和内置保护功能，NX7002AK,215 可在电路中充当过流保护或短路保护元件，防止后级电路损坏。 - 应用场景：充电器保护电路、汽车电子系统中的保险替代方案。 6. 音频放大器中的开关应用 - 在一些小型音频设备中，该 MOSFET 可用于音频信号的开关控制或功率放大器的辅助电路。 - 应用场景：迷你音响、耳机放大器。 总结 NX7002AK,215 凭借其高效、可靠和紧凑的设计，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。其核心优势在于低功耗、高效率和易于集成，特别适合对空间和能耗要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V TO-236ABMOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 190 mA |
| Id-连续漏极电流 | 190 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX7002AK,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX7002AK,215 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1330 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.33 W |
| Qg-GateCharge | 0.33 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.33 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.43nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10510-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 265mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 230 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 190mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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