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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4215-Y(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4215-Y(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4215-Y(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC4215-Y(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC4215-Y(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC4215-Y(TE85L,F) 是东芝(Toshiba Semiconductor and Storage)生产的一款高频双极结型晶体管(BJT),主要用于射频(RF)放大电路中。该晶体管具有良好的高频特性和稳定性,适用于需要高增益和低噪声的射频前端应用。 其主要应用场景包括: 1. 无线通信设备:如基站、无线接入点、微波通信系统等,用于信号的射频放大。 2. 广播设备:在FM广播或电视发射设备中作为功率放大器使用。 3. 测试与测量仪器:如频谱分析仪、信号发生器等,用于射频信号的处理与放大。 4. 工业控制与雷达系统:用于射频识别(RFID)、雷达探测及工业自动化中的高频信号处理。 该器件采用小功率封装,适合高频工作环境,广泛应用于各类射频电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS RF NPN 30V 550MHZ USM |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SC4215-Y(TE85L,F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,6V |
供应商器件封装 | USM |
其它名称 | 2SC4215-Y(TE85LF)TR |
功率-最大值 | 100mW |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 2dB ~ 5dB @ 100MHz |
增益 | 17dB ~ 23dB |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
频率-跃迁 | 550MHz |