Datasheet下载- 型号： NE85633L-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633L-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633L-A价格参考。CELNE85633L-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE85633L-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85633L-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85633L-A是CEL公司生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频放大和射频信号处理场景。该器件特别适用于工作频率在UHF至微波频段（通常可达数GHz）的无线通信系统，广泛应用于移动通信基站、无线基础设施设备以及工业级射频模块中。 典型应用场景包括低噪声放大器（LNA）、驱动放大器及小信号射频放大电路，尤其适合对噪声系数和增益性能要求较高的场合。NE85633L-A具有优良的增益平坦度、低噪声特性和高可靠性，能够在较宽温度范围内稳定工作，因此也适用于环境条件较严苛的通信设备。 此外，该晶体管常用于CATV（有线电视）分配系统、点对点微波通信、无线接入系统（如WiMAX）以及各类射频测试仪器中，作为关键的前端放大元件。其SOT-89封装形式有利于良好的热管理和PCB布局，便于集成到紧凑型射频电路中。 综上所述，NE85633L-A是一款高性能射频BJT，主要面向通信基础设施中的高频模拟信号放大需求，适用于对稳定性、噪声性能和增益表现要求较高的专业射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23射频双极晶体管 NPN High Frequency |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85633L-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE85633L-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | 9dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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