Datasheet下载- 型号： 2SC5227A-5-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5227A-5-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5227A-5-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SC5227A-5-TB-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5227A-5-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5227A-5-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的2SC5227A-5-TB-E是一款双极性射频晶体管（RF BJT），主要应用于高频和射频领域。以下是其典型应用场景： 1. 射频放大器 该型号适用于低噪声射频放大器设计，例如在无线通信系统中用于信号增强。它能够提供高增益和低噪声性能，适合于接收机前端的信号放大。 2. 无线通信设备 在无线通信领域，如对讲机、无线耳机、遥控器等设备中，2SC5227A可用于实现射频信号的放大与调制。其高频特性使其非常适合这些应用。 3. 混频器与振荡器 由于其良好的射频性能，该晶体管也可用作混频器或振荡器的核心元件，为高频信号处理提供支持。 4. 测试与测量仪器 在需要高频信号放大的测试设备中，如频谱分析仪或信号发生器，这款晶体管可以发挥重要作用。 5. 工业与医疗应用 在某些工业无线控制或医疗射频设备中，2SC5227A可用于信号传输与处理，确保高效稳定的通信。 总结来说，2SC5227A-5-TB-E凭借其出色的射频性能，广泛应用于通信、消费电子、工业控制以及测试测量等领域，特别是在需要高频信号放大和处理的地方表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO VHF-UHF CP两极晶体管 - BJT LOW-NOISE AMPLIFIER |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5227A-5-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5227A-5-TB-E |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 135 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB @ 1GHz |
| 增益 | 12dB |
| 增益带宽产品fT | 7 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大直流电集电极电流 | 70 mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | 2SC5227A |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极连续电流 | 70 mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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