【晶体管 - 双极 (BJT) - 射频_BFP 720F E6327】封装/厂家_BFP 720F E6327中文资料_价格

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型号： BFP 720F E6327
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BFP 720F E6327产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BFP 720F E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP 720F E6327价格参考。InfineonBFP 720F E6327封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 4.7V 25mA 45GHz 100mW Surface Mount 4-TSFP。您可以下载BFP 720F E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP 720F E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 BFP 720F E6327 是一款高频双极型晶体管（BJT），专为射频（RF）应用设计。该器件广泛应用于无线通信系统中的关键射频电路模块。

 主要应用场景包括：

1. 无线基础设施：  
   BFP 720F 常用于基站、微波回传设备和蜂窝网络中的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，支持如GSM、WCDMA、LTE等移动通信标准。

2. 宽带射频放大器：  
   凭借其高增益和良好的线性性能，适用于各种射频宽带放大器设计，工作频率可达数GHz，适合多频段通信设备使用。

3. 测试与测量设备：  
   在射频信号发生器、频谱分析仪等测试仪器中作为关键放大元件，确保信号的稳定性和准确性。

4. 工业与军用通信系统：  
   因其具备较高的可靠性和稳定性，也适用于工业级和部分军事通信设备中的射频前端电路。

5. 卫星通信与GPS系统：  
   可用于低噪声接收链路中，提高接收灵敏度，增强信号质量。

该晶体管采用先进的硅锗（SiGe）技术制造，具有高截止频率（fT）和优良的噪声系数，适合高性能射频电路设计。封装形式为SOT-343，便于表面贴装，适合高密度PCB布局。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP4射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
产品分类	RF 晶体管 (BJT)分离式半导体
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 720F E6327-
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/bfp720f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30431ddc9372011e2673bdbf4727
产品型号	BFP 720F E6327
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	160 @ 13mA，3V
产品种类	射频双极晶体管
供应商器件封装	4-TSFP
其它名称	BFP 720F E6327CT BFP720FE6327
功率-最大值	100mW
功率耗散	100 mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	1.2 V
商标	Infineon Technologies
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益	10.5dB ~ 28dB
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	4-SMD，扁平引线
工厂包装数量	3000
技术	SiGe
晶体管类型	Bipolar
最大工作温度	+ 150 C
最大工作频率	45 GHz
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	4.7V
电流-集电极(Ic)（最大值）	25mA
类型	RF Silicon Germanium
集电极—发射极最大电压VCEO	4 V
集电极连续电流	25 mA
零件号别名	BFP720FE6327XT
频率	45 GHz
频率-跃迁	45GHz