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Datasheet下载- 型号： BFT25,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFT25,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFT25,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFT25,215价格参考。NXP SemiconductorsBFT25,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 5V 6.5mA 2.3GHz 30mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载BFT25,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFT25,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BFT25,215 的晶体管，由 NXP USA Inc. 生产，属于 射频双极结型晶体管（RF BJT），主要应用于 射频功率放大领域。 该器件常用于 UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段的无线通信系统中，如： - 移动通信基站中的射频功率放大模块； - 广播发射机中的音频或射频放大电路； - 工业、科学和医疗（ISM）频段设备； - 对讲机、无线麦克风等专业通信设备。 BFT25,215具备良好的高频特性和较高的功率输出能力，适合在需要稳定性和可靠性的射频功率放大电路中使用。此外，其215后缀通常表示符合JEDEC标准的塑封封装，适用于表面贴装，便于在现代电子设备中集成。 总结：该晶体管主要用于通信和广播领域的射频功率放大场景，具有良好的高频性能和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF NPN 5V 2.3GHZ SOT23-3射频双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFT25,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFT25,215 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 1mA，1V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-11113-1 |
| 功率-最大值 | 30mW |
| 功率耗散 | 30 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 5.5dB @ 500MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 2300 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 10 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6.5mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5 V |
| 集电极连续电流 | 6.5 mA |
| 零件号别名 | BFT25 T/R |
| 频率 | 2300 MHz |
| 频率-跃迁 | 2.3GHz |
