Datasheet下载- 型号： 2SC5226A-5-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5226A-5-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5226A-5-TL-E价格参考￥询价-￥询价。ON Semiconductor2SC5226A-5-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5226A-5-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5226A-5-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5226A-5-TL-E 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高频双极性晶体管（BJT），主要用于射频（RF）放大应用。该器件适用于需要高增益和良好线性度的射频前端电路，广泛用于无线通信系统中的信号放大环节。 典型应用场景包括： 1. 移动通信设备：如基站、小型蜂窝基站（Small Cell）、无线接入点等，用于射频信号的前级或中继放大。 2. 广播设备：在FM广播或电视发射设备中作为功率放大器使用。 3. 工业与物联网（IoT）模块：用于远距离无线通信模块中的射频功放部分，例如LoRa、Wi-Fi 6等。 4. 测试与测量仪器：如频谱分析仪、信号发生器等设备中的射频放大单元。 5. 汽车电子系统：如车载通信模块、远程信息处理系统等。 该晶体管具有良好的高频性能和可靠性，适合工作在UHF频段及以上，封装形式为SOT-89，便于贴片安装，适用于高密度PCB布局设计。由于其优异的热稳定性和电流容量，也常用于需要连续波（CW）或脉冲操作的射频系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP两极晶体管 - BJT VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC5226A-5-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC5226A-5-TL-E |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 135 @ 20mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1dB @ 1GHz |
| 增益 | 12dB |
| 增益带宽产品fT | 7 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 70 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 系列 | 2SC5226A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极连续电流 | 20 mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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