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Datasheet下载- 型号： NE85619-T1-A
- 制造商： CEL
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NE85619-T1-A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85619-T1-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85619-T1-A价格参考。CELNE85619-T1-A封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 100mW Surface Mount SOT-523。您可以下载NE85619-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85619-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85619-T1-A是由品牌CEL生产的射频双极结型晶体管（RF BJT），主要应用于高频、低噪声的射频放大电路中。该器件特别适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的无线通信系统，如蜂窝基站、无线局域网（WLAN）、微波通信和射频收发模块等。 由于其具备优良的低噪声系数和高增益特性，NE85619-T1-A常用于射频前端的小信号放大，例如在接收链路中提升微弱信号强度，从而提高系统的灵敏度和通信质量。此外，该晶体管采用SOT-343封装，体积小巧，适合高密度贴装的现代通信设备设计。 典型应用场景包括：GSM、CDMA、LTE等移动通信基础设施中的低噪声放大器（LNA），以及工业、科学和医疗（ISM）频段的无线传输设备。同时，也可用于雷达系统、卫星通信终端和测试测量仪器中的高频信号放大环节。 综上所述，NE85619-T1-A是一款高性能的射频BJT，广泛应用于对噪声性能和频率响应要求较高的现代无线通信与高频电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD射频双极晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85619-T1-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE85619-T1-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 20mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 3 针 SuperMiniMold （19） |
| 其它名称 | NE85619-ADKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | 6.5dB ~ 12.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz |
