图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: NE85619-T1-A
  • 制造商: CEL
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

NE85619-T1-A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NE85619-T1-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85619-T1-A价格参考。CELNE85619-T1-A封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 100mW Surface Mount SOT-523。您可以下载NE85619-T1-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE85619-T1-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD射频双极晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

CEL

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NE85619-T1-A-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

NE85619-T1-A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 20mA,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

3 针 SuperMiniMold (19)

其它名称

NE85619-ADKR

功率-最大值

100mW

功率耗散

100 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

3 V

商标

CEL

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

6.5dB ~ 12.5dB

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-523

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

类型

RF Bipolar Small Signal

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

12 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

4.5GHz

NE85619-T1-A 相关产品

2SC39310CL

品牌:Panasonic Electronic Components

价格:

HFA3128BZ

品牌:Renesas Electronics America Inc.

价格:

BF 770A E6327

品牌:Infineon Technologies

价格:

2SC5508-T2-A

品牌:CEL

价格:

LM3046M

品牌:Texas Instruments

价格:

BFU520AR

品牌:NXP USA Inc.

价格:

BFG540/XR,215

品牌:NXP USA Inc.

价格:

HFA3046B96

品牌:Renesas Electronics America Inc.

价格: