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Datasheet下载- 型号： BFG425W,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFG425W,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG425W,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG425W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG425W,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 4.5V 30mA 25GHz 135mW Surface Mount CMPAK-4。您可以下载BFG425W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG425W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFG425W,115 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频放大应用。该器件基于先进的SiGe:C（硅锗碳）技术制造，具备优异的高频性能和高增益特性，适用于工作频率高达数GHz的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于蜂窝基站中的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，支持GSM、UMTS、LTE等移动通信标准。 2. 微波与毫米波通信：适用于点对点无线电链路、回传网络中的射频放大模块。 3. 宽带无线接入系统：如WiMAX等系统中作为射频功率放大器使用。 4. 工业与国防电子：用于雷达系统、远程传感器和专用通信设备中的高频信号放大。 BFG425W,115采用SOT343封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其高增益（典型值约20dB以上）和低噪声系数使其在接收和发射链路中均能发挥出色性能。此外，该器件工作电压较低，有助于降低系统功耗，适用于对能效要求较高的设备。 总之，BFG425W,115是一款高性能射频BJT，广泛应用于现代通信系统中的高频放大环节，尤其适合需要高线性度和稳定性的中等功率射频设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R射频双极晶体管 NPN 4.5V 25GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG425W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG425W,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 25mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-1644-2 |
| 功率-最大值 | 135mW |
| 功率耗散 | 135 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 1 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| 增益 | 20dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 25000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.03 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 4.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.03 A |
| 零件号别名 | BFG425W T/R |
| 频率 | 25000 MHz |
| 频率-跃迁 | 25GHz |
