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- 型号： BFG10,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG10,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG10,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG10,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG10,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG10,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFG10,215 是一款硅锗碳化物（SiGe:C）射频双极晶体管，属于高频小信号放大器用晶体管，广泛应用于无线通信系统中的射频前端电路。该器件具有低噪声、高增益和优良的高频性能，典型工作频率可达数GHz，适用于需要高线性度与低功耗的场景。 主要应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于蜂窝基站、微波中继系统中的低噪声放大器（LNA）和驱动放大器，支持GSM、UMTS、LTE等通信标准。 2. 毫米波与高频通信：适合在点对点无线回传、5G前传网络中作为高频放大元件。 3. 卫星通信：因其稳定性和高频特性，可用于低功率卫星通信设备中的射频信号放大。 4. 测试与测量设备：在矢量网络分析仪、频谱仪等高端仪器中作为关键射频增益单元。 5. 宽带无线接入：应用于WiMAX、固定无线接入（FWA）等系统中的射频模块设计。 BFG10,215采用SOT343小型封装，节省PCB空间，适合高密度布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其低功耗特性也使其适用于便携式或远程部署的射频设备。总体而言，该器件是高性能射频模拟电路中的关键元件，特别适合对噪声和增益有严苛要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFG10,215 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 50mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-6183-6 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | 7dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 频率-跃迁 | 1.9GHz |
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