Datasheet下载- 型号： 55GN01FA-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供55GN01FA-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 55GN01FA-TL-H价格参考。ON Semiconductor55GN01FA-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载55GN01FA-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有55GN01FA-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）生产的55GN01FA-TL-H是一款双极性射频晶体管（RF BJT），广泛应用于高频信号处理和功率放大领域。以下是其主要应用场景： 1. 射频功率放大器 - 该型号适用于射频功率放大器的设计，特别是在VHF（甚高频）和UHF（特高频）频段中表现优异。 - 常用于无线通信设备、广播系统和工业科学医疗（ISM）频段的功率放大。 2. 无线通信 - 在对讲机、集群无线电、业余无线电等设备中，用作射频信号的功率放大器。 - 支持高线性输出，确保信号传输过程中失真最小化。 3. 广播电视 - 用于电视和广播发射机中的射频功率放大级，提供稳定的输出功率和高效率。 - 能够满足广播行业对可靠性和稳定性的严格要求。 4. 工业应用 - 在工业设备中，如射频加热、等离子体生成和材料处理等领域，作为功率放大器的核心组件。 - 提供高增益和大电流能力，适合需要高功率输出的应用。 5. 测试与测量设备 - 用于信号发生器、频谱分析仪和其他射频测试设备中，以实现精确的信号放大和处理。 - 确保测试设备在高频条件下具有良好的性能和稳定性。 6. 军事和航空航天 - 在雷达、导航和卫星通信系统中，用作射频前端的功率放大器。 - 具备高可靠性、宽温度范围和抗干扰能力，适合恶劣环境下的应用。 特点总结： - 高频率工作能力：支持VHF/UHF频段。 - 高输出功率：适用于大功率射频应用。 - 高效率和线性度：确保信号质量优良。 - 宽工作温度范围：适应多种环境条件。 这款晶体管因其出色的性能和可靠性，成为射频领域的重要选择之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 55GN01FA-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-SSFP |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.9dB @ 1GHz |
| 增益 | 11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-81 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz ~ 5.5GHz |
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