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  • 型号: 15GN03CA-TB-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供15GN03CA-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 15GN03CA-TB-E价格参考。ON Semiconductor15GN03CA-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载15GN03CA-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有15GN03CA-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN BIPO 70MA 10V CP两极晶体管 - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 15GN03CA-TB-E-

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产品型号

15GN03CA-TB-E

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

3-CP

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

3 V

商标

ON Semiconductor

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.6dB @ 0.4GHz

增益

13dB @ 0.4GHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

200 mW

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

10V

电流-集电极(Ic)(最大值)

70mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

15GN03CA

集电极—发射极最大电压VCEO

10 V

集电极连续电流

70 mA

频率-跃迁

1.5GHz

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