Datasheet下载- 型号： NE851M13-T3-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE851M13-T3-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE851M13-T3-A价格参考。CELNE851M13-T3-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE851M13-T3-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE851M13-T3-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL品牌下的双极射频晶体管NE851M13-T3-A主要应用于射频（RF）放大电路中，特别适用于需要高频、低噪声放大的场景。该器件常用于无线通信系统中的低噪声放大器（LNA），如蜂窝通信基站、无线局域网（WLAN）、广播接收设备及测试测量仪器等。其高增益、低噪声系数和良好的线性性能，使其在接收端信号放大中发挥重要作用，有助于提升系统整体的信号接收灵敏度和稳定性。此外，该晶体管也可用于射频前端模块、频率合成器及微波通信设备中，满足高频段信号处理需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN LOW PRO M13 SMD |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE851M13-T3-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，1V |
| 供应商器件封装 | M13 |
| 其它名称 | NE851M13-T3-ADKR |
| 功率-最大值 | 140mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| 增益 | 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz |
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