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型号： BSC042NE7NS3GATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC042NE7NS3GATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC042NE7NS3GATMA1价格参考￥5.52-￥5.52。InfineonBSC042NE7NS3GATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 75V 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8。您可以下载BSC042NE7NS3GATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC042NE7NS3GATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的BSC042NE7NS3GATMA1是一款N沟道功率MOSFET，属于7系列OptiMOS™产品，采用先进的超结技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性。该器件主要应用于需要高效能、高功率密度的电源系统中。

典型应用场景包括：  
1. 服务器与通信电源：用于DC-DC转换器、VRM（电压调节模块）等，提供高效稳定的低压大电流输出，满足数据中心对能效和散热的严苛要求。  
2. 工业电源：广泛应用于开关电源（SMPS）、UPS（不间断电源）及工业电机驱动中的功率转换环节，提升整体系统效率。  
3. 新能源领域：适用于太阳能逆变器中的直流变换部分，帮助提高光伏系统的能量转换效率。  
4. 电动汽车充电设备：可用于车载充电机（OBC）或充电桩内部的功率级设计，支持高频率开关操作，降低损耗。  
5. 高端消费电子：如高性能计算设备、游戏主机等的电源管理单元，实现紧凑设计与高效散热。

该MOSFET具备优异的热性能和可靠性，封装形式为PG-TSDSON-8（小型化表面贴装），适合空间受限但需高功率密度的设计。其低栅极电荷和输出电容也使其在高频开关应用中表现优越，有助于减小磁性元件体积并提升系统效率。

综上，BSC042NE7NS3GATMA1适用于追求高效率、高功率密度和小型化的现代电力电子系统，尤其在工业、通信和绿色能源领域具有广泛应用价值。

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