ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > CSD87381PT
Datasheet下载- 型号： CSD87381PT
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87381PT由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87381PT价格参考。Texas InstrumentsCSD87381PT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 30V 15A 4W 表面贴装 5-PTAB（3x2.5）。您可以下载CSD87381PT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD87381PT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD87381PT是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道MOSFET阵列，属于DrMOS器件，集成了上下管双FET和驱动器，主要用于高效率、高密度的同步降压转换应用。其典型应用场景包括： 1. 服务器与通信设备电源：CSD87381PT具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力（持续电流可达25A），适用于多相电压调节模块（VRM），为高性能CPU、GPU和ASIC提供稳定高效的供电。 2. 数据中心电源系统：在48V转12V或12V转1V等中间母线架构中，该器件凭借高开关频率支持和优异的热性能，有助于提升电源转换效率，降低能耗，满足数据中心对节能和散热的严苛要求。 3. 工业自动化与高端计算平台：用于FPGA、DSP等可编程逻辑器件的内核与I/O供电，支持动态负载变化，确保瞬态响应快速、输出电压稳定。 4. 大功率POL（点负载）转换器：CSD87381PT的小尺寸封装（SON 5mm×6mm）和集成化设计，有利于实现紧凑型电源布局，适用于空间受限但功率密度要求高的场景。 综上，CSD87381PT广泛应用于需要高效、高功率密度和良好热管理的中高功率DC-DC转换场合，尤其适合通信基础设施、云计算设备及工业高端主板等关键领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CSD87381PT |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 564pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.3 毫欧 @ 8A， 8V |
| 供应商器件封装 | 5-PTAB (3x2.5） |
| 其它名称 | 296-37751-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87381PT |
| 功率-最大值 | 4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | - |
| 封装/外壳 | 5-LGA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-电源 | 24V |
| 电流-峰值输出 | 40A |
| 电流-输出/通道 | 15A |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A |
| 类型 | 半桥 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
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