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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT3904LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT3904LT1G价格参考¥0.07-¥0.07。ON SemiconductorMMBT3904LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 200mA 300MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT3904LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT3904LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的MMBT3904LT1G是一款通用NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于各类电子电路中。该器件采用SOT-23小外形封装,具有体积小、响应快、可靠性高的特点,适用于高频开关和信号放大场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备中的开关控制,如智能手机、平板电脑中的LED驱动或电源管理模块;消费类电子产品中的音频信号放大电路,如小型扬声器或麦克风前置放大器;工业控制与家用电器中的逻辑驱动与接口电路,例如继电器驱动、传感器信号调理等。此外,由于其良好的开关特性,也常用于数字逻辑电路中的电平转换和脉冲信号处理。 MMBT3904LT1G符合RoHS环保标准,并具备无铅(Pb-free)设计,适用于现代绿色电子产品制造。其高可靠性和广泛的工作温度范围(-55°C 到 +150°C)使其在严苛环境下的应用也表现出色,如汽车电子中的非动力系统控制模块。 总之,MMBT3904LT1G因其优异的性能和稳定性,成为中小功率模拟与数字电路中理想的通用晶体管解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 40V 200MA SOT23两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT3904LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT3904LT1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBT3904LT1GOSDKR |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | MMBT3904L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
集电极连续电流 | 0.2 A |
频率-跃迁 | 300MHz |