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FDD6637产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6637由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6637价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6637封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 35V 13A (Ta), 55A (Tc) 3.1W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)。您可以下载FDD6637参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6637 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDD6637是一款N沟道功率MOSFET,属于高性能、低导通电阻的场效应晶体管,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流电路和开关电源(SMPS)中,提升电能转换效率,降低功耗。 2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具和家用电器中的电机驱动电路,提供快速开关响应和低损耗性能。 3. 电池供电设备:在笔记本电脑、移动电源、便携式设备等电池管理系统中,作为负载开关或电源切换元件,有效减少待机功耗。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动及车身控制模块,满足汽车级对稳定性和温度范围的要求(工作温度可达175°C)。 5. 热插拔与电源保护电路:凭借其低栅极电荷和良好导通特性,适合用作热插拔控制器中的功率开关,防止浪涌电流损坏系统。 FDD6637采用先进的TrenchFET技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),可显著减少导通损耗,同时支持高电流承载能力,封装形式为Power 338(DPAK),便于散热设计和批量生产。综合来看,该器件适用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAKMOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 55 A |
| Id-连续漏极电流 | 55 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6637PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD6637 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 35 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 35 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.6 毫欧 @ 14A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6637CT |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta), 55A (Tc) |
| 系列 | FDD6637 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |