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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540NPBF价格参考¥2.47-¥2.59。International RectifierIRF540NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 33A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF540NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF540NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF540NPBF 是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关控制的电子系统中。其主要应用场景包括:电源管理、直流电机驱动、逆变器、开关电源(SMPS)、UPS不间断电源、LED照明驱动以及汽车电子系统等。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合在中高功率条件下实现低损耗开关操作。常用于DC-DC转换器中作为主开关元件,提升电源转换效率。在电机控制领域,IRF540NPBF可用于H桥电路,实现对直流电机的正反转与调速控制。 此外,由于其符合RoHS标准且采用Pb-Free封装,适用于对环保要求较高的工业与消费类设备。在太阳能逆变器中,该MOSFET可参与直流到交流的转换过程,提高系统能效。在汽车应用中,可用于风扇控制、车灯调节和小型执行器驱动等场景。 IRF540NPBF具备良好的热稳定性和耐用性,工作温度范围宽,适合在较恶劣环境中运行。其通态性能优异,驱动简单,配合合适的栅极驱动电路,可实现快速开关,减少能量损耗。 总之,IRF540NPBF凭借其高可靠性与性能,成为工业控制、电源系统、汽车电子及可再生能源等领域中常用的功率开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF540NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF540NPBF |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 47.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 47.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 44 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 44 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 44 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF540NPBF |
| 功率-最大值 | 130W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 44 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 47.3 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 33 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf540n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf540n.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |