ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD17483F4
Datasheet下载- 型号： CSD17483F4
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17483F4由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17483F4价格参考￥0.54-￥0.85。Texas InstrumentsCSD17483F4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR。您可以下载CSD17483F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD17483F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17483F4 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，属于超小型封装的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效率和小尺寸设计的电源系统中。其主要应用场景包括： 1. 同步整流DC-DC转换器：常用于降压（Buck）转换器中的低边或高边开关，适用于服务器、笔记本电脑和通信设备中的多相电压调节模块（VRM），提供高效能和低导通损耗。 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中作为负载开关，控制不同功能模块的供电通断，实现节能与热插拔保护。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动，常见于无人机、电动工具和消费类机器人中。 4. 热插拔与冗余电源系统：在工业控制和电信设备中用于实现安全的带电插拔功能，防止浪涌电流损坏系统。 5. LED背光驱动与照明电源：在LCD显示器和LED照明系统中作为开关元件，支持高频PWM调光。 该器件采用1.5mm × 1.5mm SON封装，具有极低的栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rdson约1.3mΩ），有助于提升开关效率、减小发热，特别适合空间受限且对能效要求高的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTARMOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd17483f4 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD17483F4NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD17483F4 |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 1010 pC |
| Qg-栅极电荷 | 1.01 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.85 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 850 mV |
| 上升时间 | 1.3 ns |
| 下降时间 | 3.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 500mA， 8V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
| 典型关闭延迟时间 | 10.6 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | FemtoFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | PicoStar-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 系列 | CSD17483F4 |
| 配置 | Single |
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