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FDC637AN产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC637AN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC637AN价格参考。Fairchild SemiconductorFDC637AN封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 6.2A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT™-6。您可以下载FDC637AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC637AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC637AN 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款增强型 n 沟道 MOSFET 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性,适用于多种高效能电源管理和信号切换应用。以下是 FDC637AN 的一些主要应用场景: 1. 电源管理 FDC637AN 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和电池管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率,特别适合需要高电流输出的应用。例如,在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中,FDC637AN 可以用于高效的电源调节,确保设备在低功耗模式下仍能保持稳定的电压输出。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中,FDC637AN 可作为功率级元件,控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电流波动,并且具有快速的开关响应时间,适合用于风扇、泵、无人机电机等应用场景。此外,FDC637AN 的低导通电阻有助于降低发热,延长电机系统的使用寿命。 3. 负载开关 FDC637AN 可用作负载开关,控制电路中的电源通断。它能够在毫秒级时间内完成开关操作,适用于需要快速响应的场景,如 USB 接口供电、LED 照明系统和汽车电子设备中的电源管理。通过精确控制电流流动,FDC637AN 可以有效防止过流、短路等问题,提升系统的安全性。 4. 音频放大器 在音频放大器中,FDC637AN 可用于电源轨切换或保护电路,确保放大器在不同工作状态下都能稳定运行。它的低噪声特性和快速开关能力有助于提高音频信号的质量,减少失真和干扰,适用于高端音响设备和专业音频处理系统。 5. 通信设备 在无线通信模块、路由器和调制解调器等设备中,FDC637AN 可用于电源管理和信号切换。它能够提供高效的电源转换,确保通信设备在不同的工作模式下保持稳定的性能,同时减少功耗,延长设备的续航时间。 总之,FDC637AN 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在对效率和响应速度有较高要求的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6MOSFET SSOT-6 N-CH 20V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC637ANPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDC637AN |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 13 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1125pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 6.2A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FDC637ANDKR |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 36 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 7.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.2A (Ta) |
系列 | FDC637AN |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |
零件号别名 | FDC637AN_NL |