Datasheet下载- 型号： SUD50N03-12P-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50N03-12P-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50N03-12P-E3价格参考。VishaySUD50N03-12P-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUD50N03-12P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD50N03-12P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50N03-12P-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关性能。典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，提升电源转换效率。 2. 电机控制：在电动工具、电动车及工业自动化中作为电机驱动开关。 3. 电池管理系统（BMS）：用于充放电控制与保护电路。 4. 照明系统：如 LED 驱动器中的高频开关元件。 5. 消费电子：适用于笔记本电脑、电源适配器等便携设备中的功率控制。 该器件采用 TO-252 封装，适合表面贴装，具备良好的热稳定性与可靠性，适用于中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUD50N03-12P-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | 46.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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