Datasheet下载- 型号： LM211DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LM211DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LM211DR2G价格参考￥1.06-￥3.77。ON SemiconductorLM211DR2G封装/规格：线性 - 比较器， 通用 比较器 DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL 8-SOIC。您可以下载LM211DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LM211DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| CMRR，PSRR（典型值） | - |
| 描述 | IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC模拟比较器 5-30V SGL Comparator -25 to 85 deg C |
| 产品分类 | 线性 - 比较器放大器 IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 模拟比较器,ON Semiconductor LM211DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | LM211DR2G |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 模拟比较器 |
| 传播延迟（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 偏转电压—最大值 | 3 mV |
| 元件数 | 1 |
| 其它名称 | LM211DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 响应时间 | 200 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 标准包装 | 1 |
| 滞后 | - |
| 电压-电源，单/双 (±) | 5 V ~ 30 V， ±2.5 V ~ 15 V |
| 电压-输入失调（最大值） | 3mV @ ±15V |
| 电压增益dB | 106.02 dB |
| 电流-输入偏置（最大值） | 0.1µA @ ±15V |
| 电流-输出（典型值） | - |
| 电流-静态（最大值） | 6mA |
| 电源电压-最大 | 36 V |
| 电源电压-最小 | 5 V |
| 电源电流 | 2.4 mA |
| 电源电流—最大值 | 2.4 mA |
| 类型 | 通用 |
| 系列 | LM211 |
| 输入偏压电流—最大 | 100 nA |
| 输出电流—典型值 | + 2.4 mA |
| 输出类型 | DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL |
| 通道数量 | 1 Channel |
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