Datasheet下载- 型号： LM211DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LM211DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LM211DR2G价格参考￥1.06-￥3.77。ON SemiconductorLM211DR2G封装/规格：线性 - 比较器， 通用 比较器 DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL 8-SOIC。您可以下载LM211DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LM211DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的LM211DR2G是一款双电压比较器，属于线性-比较器类别。该器件广泛应用于需要将模拟信号转换为数字输出的各种电子系统中。其主要应用场景包括过压/欠压检测、电源监控、电压电平检测以及工业控制电路中的阈值判断。 LM211DR2G具有宽工作电压范围（单电源或双电源供电）、低功耗和高响应速度的特点，适合在环境较为复杂的工业设备中使用。例如，在电源管理系统中，它可用于监测电池电压，当电压超出设定范围时触发保护电路，防止设备损坏。 此外，该比较器也常用于传感器信号调理电路中，将传感器输出的微弱模拟信号与参考电压进行比较，从而实现对温度、光强、压力等物理量的开关控制。在消费类电子产品中，如家电控制器、充电器保护模块中也有应用。 LM211DR2G采用SOIC-8封装，便于自动化贴装，适用于各类PCB板设计。其工业级工作温度范围确保了在恶劣环境下的稳定运行。总体而言，该器件因其高可靠性、低成本和通用性强，广泛应用于工业控制、电源管理、汽车电子和消费电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| CMRR，PSRR（典型值） | - |
| 描述 | IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC模拟比较器 5-30V SGL Comparator -25 to 85 deg C |
| 产品分类 | 线性 - 比较器放大器 IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 模拟比较器,ON Semiconductor LM211DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | LM211DR2G |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 模拟比较器 |
| 传播延迟（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 偏转电压—最大值 | 3 mV |
| 元件数 | 1 |
| 其它名称 | LM211DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 响应时间 | 200 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 25 C |
| 标准包装 | 1 |
| 滞后 | - |
| 电压-电源，单/双 (±) | 5 V ~ 30 V， ±2.5 V ~ 15 V |
| 电压-输入失调（最大值） | 3mV @ ±15V |
| 电压增益dB | 106.02 dB |
| 电流-输入偏置（最大值） | 0.1µA @ ±15V |
| 电流-输出（典型值） | - |
| 电流-静态（最大值） | 6mA |
| 电源电压-最大 | 36 V |
| 电源电压-最小 | 5 V |
| 电源电流 | 2.4 mA |
| 电源电流—最大值 | 2.4 mA |
| 类型 | 通用 |
| 系列 | LM211 |
| 输入偏压电流—最大 | 100 nA |
| 输出电流—典型值 | + 2.4 mA |
| 输出类型 | DTL，MOS，开路集电极，开路发射极，RTL，TTL |
| 通道数量 | 1 Channel |
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