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Datasheet下载- 型号： DMC2990UDJ-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC2990UDJ-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC2990UDJ-7价格参考。Diodes Inc.DMC2990UDJ-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 450mA，310mA 350mW 表面贴装 SOT-963。您可以下载DMC2990UDJ-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMC2990UDJ-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMC2990UDJ-7是一款晶体管FET MOSFET阵列，广泛应用于各种电子设备和系统中。该器件的主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理：DMC2990UDJ-7常用于电源管理系统中，如开关电源、稳压器和电池充电电路。它能够高效地进行电流控制和电压调节，确保电力传输的稳定性和效率。 2. 电机驱动：在电机控制系统中，MOSFET阵列用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。DMC2990UDJ-7可以快速切换导通和关断状态，实现精确的电机速度和位置控制。 3. 信号切换：该器件适用于需要频繁信号切换的应用，如多路复用器、数据选择器和逻辑电路。它可以快速响应并切换不同的信号路径，确保信号传输的准确性和可靠性。 4. 负载开关：在便携式电子设备中，DMC2990UDJ-7可用作负载开关，控制不同功能模块的供电。通过精准的开关操作，延长电池寿命并提高系统的能效。 5. 保护电路：该器件还广泛应用于过流保护、短路保护和过温保护等电路中。其低导通电阻和高击穿电压特性，使其能够在极端条件下提供可靠的保护功能。 6. 音频放大器：在音频设备中，MOSFET阵列用于功率放大器的输出级，以驱动扬声器。DMC2990UDJ-7具有低噪声和高线性度的特点，能够提供高质量的音频输出。 7. 通信设备：在无线通信和网络设备中，该器件用于射频前端、功率放大器和其他关键组件。它的高频特性和低损耗性能，有助于提高通信系统的传输效率和稳定性。 总之，DMC2990UDJ-7凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个领域展现出广泛的应用前景，是现代电子设计中的重要元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT963MOSFET MOSFET BVDSS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
| Id-连续漏极电流 | 450 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC2990UDJ-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMC2990UDJ-7 |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Qg-GateCharge | 0.4 nC, 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.4 nC, 0.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | +/- 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | +/- 1 V |
| 上升时间 | 3.3 ns, 5.7 ns |
| 下降时间 | 6.4 ns, 16.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 27.6pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 其它名称 | DMC2990UDJ-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns, 31.1 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 封装/箱体 | SOT-963-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 180 mS, 100 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 450mA，310mA |
| 系列 | DMC2990 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
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