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Datasheet下载- 型号： BSC014N04LSIATMA1
- 制造商： Infineon
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BSC014N04LSIATMA1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC014N04LSIATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC014N04LSIATMA1价格参考。InfineonBSC014N04LSIATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 40V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL。您可以下载BSC014N04LSIATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC014N04LSIATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSC014N04LSIATMA1 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于高效率、低功耗的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的同步整流降压变换器，因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，可提高转换效率并减少能量损耗。 2. 负载开关与电源管理：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中用于控制电源通断，实现高效能的电池管理和节能运行。 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的驱动模块，尤其在消费类电器和工业控制中表现稳定。 4. LED照明驱动：用于恒流LED驱动电源中，支持高频率开关操作，有助于提升调光精度和系统效率。 5. 热插拔与过流保护电路：凭借其快速响应能力和耐电流冲击性能，常用于服务器背板、网络设备等需要安全热插拔功能的场合。 该器件采用先进的Superjunction技术，具备优异的开关性能和热稳定性，封装为PG-TSDSON-8，体积小巧，适合高密度PCB布局。总体而言，BSC014N04LSIATMA1适用于对能效、空间和可靠性要求较高的中低电压功率应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BSC014N04LSIATMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.45 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 FL （5x6） |
| 其它名称 | BSC014N04LSIATMA1DKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Ta）， 100A （Tc） |
