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产品简介:
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IRFM220BTF_FP001 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件。该器件适用于多种电源管理和功率转换应用场景,具有较高的开关速度和较低的导通电阻,适合用于高效能、高频工作的电路中。 该MOSFET常见应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC或DC/DC转换器中,作为主开关器件,实现高效能电能转换。 2. DC-DC转换器:在降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)电路中作为开关元件,广泛应用于通信设备、工业控制系统和嵌入式系统中。 3. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的驱动电路,控制电机启停与转速,常用于自动化设备和机器人系统。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制电路中,作为高效率开关,保护电池组免受过流或短路损坏。 5. 逆变器和UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中用于将直流电转换为交流电,实现能源的高效转换与管理。 该器件具备良好的热稳定性和可靠性,适合在中高功率应用中使用,广泛应用于工业、通信、消费电子及新能源领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFM220BTF_FP001 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 570mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.13A (Tc) |