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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2905TRL由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2905TRL价格参考。International RectifierIRLR2905TRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR2905TRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR2905TRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)旗下的型号IRLR2905TRL是一款N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适合高频开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等,提高电源效率,常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中。 2. 电机驱动:适用于直流电机或步进电机的驱动电路,特别是在电动工具、无人机和自动化设备中实现高效能控制。 3. 负载开关:作为电子开关控制高功率负载,如LED照明、加热元件或风扇,实现快速通断控制。 4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统和便携式设备中用于电池充放电控制与保护。 5. 工业自动化:用于PLC、变频器及工业控制设备中的功率开关元件,提高系统响应速度与可靠性。 该MOSFET采用TSSOP封装,适合表面贴装工艺,适用于空间受限且对散热有一定要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRLR2905TRL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr2905.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr2905.spi |