ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4466DY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4466DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI4466DY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4466DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4466DY-T1-E3价格参考。VishaySI4466DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 20V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4466DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4466DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4466DY-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型封装（TSOP-6），具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性。该器件广泛应用于便携式电子设备和高密度电路设计中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以降低功耗；在电池供电系统中作为理想二极管或反向电流保护元件，提升能效与安全性；适用于DC-DC转换电路中的同步整流或高端开关，提高转换效率；还可用于热插拔电路、LED驱动开关以及小型电机控制等场景。 其小尺寸封装特别适合空间受限的便携式产品，同时具备良好的栅极耐压能力，便于直接由逻辑信号驱动，简化了控制电路设计。总体而言，SI4466DY-T1-E3是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，适用于对效率、体积和功耗有严格要求的消费电子和工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOICMOSFET 20V 13.2A 2.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4466DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4466DY-T1-E3SI4466DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4466DY-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4466DY-E3 |
