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  • 型号: IRL3103D1
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3103D1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3103D1价格参考。International RectifierIRL3103D1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3103D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3103D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL3103D1的MOSFET,属于低电压、逻辑电平驱动的N沟道增强型场效应晶体管。该器件常用于中低功率开关应用,具有导通电阻低、响应速度快和封装小巧等特点。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关等,适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携式电子设备中的电池供电系统。

2. 电机控制:用于小型直流电机、步进电机的驱动电路中,常见于机器人、无人机、电动工具及家电产品中。

3. 照明系统:在LED驱动电路中作为开关元件使用,支持高效节能的照明解决方案。

4. 工业自动化:可用于PLC模块、传感器接口、继电器替代方案等工业控制系统中,实现快速、可靠的信号切换。

5. 汽车电子:由于英飞凌在汽车半导体领域具有优势,该MOSFET也可应用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗、门锁控制)等场景。

该器件采用SO-8封装,适合表面贴装工艺,便于集成在高密度PCB设计中,广泛适用于消费类电子、工业控制及部分汽车应用领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRL3103D1

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

FETKY™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 34A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRL3103D1

功率-最大值

2W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

64A (Tc)

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