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  • 型号: MRFE6VP6300HR5
  • 制造商: Freescale Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP6300HR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP6300HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP6300HR5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS(双) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4。您可以下载MRFE6VP6300HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRFE6VP6300HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

FET RF 2N-CH 230MHZ 50V NI780-4射频MOSFET晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

Freescale Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VP6300HR5-

数据手册

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产品型号

MRFE6VP6300HR5

Pd-PowerDissipation

1050 W

Pd-功率耗散

1050 W

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

130 V

Vds-漏源极击穿电压

130 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317

产品种类

射频MOSFET晶体管

供应商器件封装

NI-780-4

其它名称

MRFE6VP6300HR5DKR

功率-输出

300W

功率耗散

1050 W

包装

Digi-Reel®

单位重量

6.396 g

商标

Freescale Semiconductor

噪声系数

-

增益

26.6 dB at 230 MHz

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

NI-780-4

封装/箱体

NI-780-4

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

LDMOS(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

130 V

漏极连续电流

100 mA

电压-测试

50V

电压-额定

125V

电流-测试

100mA

系列

MRFE6VP6300H

输出功率

300 W at Peak

配置

Single

闸/源击穿电压

10 V

频率

1.8 MHz to 600 MHz

额定电流

-

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