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SI6415DQ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6415DQ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6415DQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6415DQ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.5W(Ta) 8-TSSOP。您可以下载SI6415DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6415DQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI6415DQ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:该MOSFET适用于降压或升压DC-DC转换器中的开关元件,能够高效地控制电流流动,提供稳定的输出电压。 - 负载开关:在便携式设备中,可用于动态开启或关闭电路,以减少功耗并优化电池寿命。 - 线性稳压器:作为旁路或调整元件,用于改善稳压性能。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于低功率电机驱动应用,例如玩具、风扇或其他小型家电中的电机控制。 - H桥电路:在双极性电机控制中,可以与其他MOSFET组合构成H桥,实现电机正反转功能。 3. 信号切换 - 信号隔离与切换:在需要高频信号切换的应用中,该MOSFET可作为高速开关使用,适合音频信号处理或数据传输线路的切换。 - 多路复用器:在多通道信号选择场景下,可以用作开关矩阵的一部分。 4. 保护电路 - 过流保护:通过检测MOSFET的导通电阻(Rds(on))变化来监测电流,从而触发保护机制。 - 短路保护:快速响应短路事件,切断电流路径以保护其他敏感元件。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于充电管理、电池保护和内部电源分配。 - USB接口保护:在USB端口设计中,可防止过压或过流对设备造成损害。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器或显示屏背光控制。 - 车身控制模块:如车窗升降、雨刷控制等低功率应用。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用场合。 - 小封装尺寸(DFN1006-2L):节省PCB空间,便于紧凑型设计。 综上所述,SI6415DQ-T1-GE3因其优异的电气特性和小型化封装,在各种低功率、高效率需求的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOPMOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?70639 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6415DQ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6415DQ-T1-GE3SI6415DQ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19 毫欧 @ 6.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6415DQ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 系列 | SI6415DQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI6415DQ-GE3 |