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  • 型号: SI6415DQ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI6415DQ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI6415DQ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6415DQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6415DQ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.5W(Ta) 8-TSSOP。您可以下载SI6415DQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6415DQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI6415DQ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:该MOSFET适用于降压或升压DC-DC转换器中的开关元件,能够高效地控制电流流动,提供稳定的输出电压。
   - 负载开关:在便携式设备中,可用于动态开启或关闭电路,以减少功耗并优化电池寿命。
   - 线性稳压器:作为旁路或调整元件,用于改善稳压性能。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于低功率电机驱动应用,例如玩具、风扇或其他小型家电中的电机控制。
   - H桥电路:在双极性电机控制中,可以与其他MOSFET组合构成H桥,实现电机正反转功能。

 3. 信号切换
   - 信号隔离与切换:在需要高频信号切换的应用中,该MOSFET可作为高速开关使用,适合音频信号处理或数据传输线路的切换。
   - 多路复用器:在多通道信号选择场景下,可以用作开关矩阵的一部分。

 4. 保护电路
   - 过流保护:通过检测MOSFET的导通电阻(Rds(on))变化来监测电流,从而触发保护机制。
   - 短路保护:快速响应短路事件,切断电流路径以保护其他敏感元件。

 5. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用于充电管理、电池保护和内部电源分配。
   - USB接口保护:在USB端口设计中,可防止过压或过流对设备造成损害。

 6. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器或显示屏背光控制。
   - 车身控制模块:如车窗升降、雨刷控制等低功率应用。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):降低功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用场合。
- 小封装尺寸(DFN1006-2L):节省PCB空间,便于紧凑型设计。

综上所述,SI6415DQ-T1-GE3因其优异的电气特性和小型化封装,在各种低功率、高效率需求的应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOPMOSFET 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.5 A

Id-连续漏极电流

6.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?70639

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6415DQ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI6415DQ-T1-GE3SI6415DQ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

19 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

19 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

19 毫欧 @ 6.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-TSSOP

其它名称

SI6415DQ-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

73 ns

功率-最大值

1.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

封装/箱体

TSSOP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

系列

SI6415DQ

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI6415DQ-GE3

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