Datasheet下载- 型号： NVMFS5826NLWFT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS5826NLWFT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS5826NLWFT1G价格参考￥询价-￥询价。ON SemiconductorNVMFS5826NLWFT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFS5826NLWFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFS5826NLWFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NVMFS5826NLWFT1G是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），可实现高效率的开关性能。 典型应用场景包括： 1. 电源转换：适用于DC-DC转换器、同步整流、降压（Buck）或升压（Boost）变换器，尤其在便携式设备和工业电源中表现优异。 2. 负载开关与电源管理：用于电池供电设备中的负载开关、热插拔控制器等，能够快速响应并有效控制电流流动。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，提供高效控制。 4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源模块，因其小型化封装（如LFPAK或PowerSO-8）节省PCB空间。 5. 工业与汽车电子：适用于车身电子、LED照明驱动、车载充电系统等对可靠性和温度耐受性要求较高的环境。 该MOSFET支持高温工作，具备良好的热稳定性，并通过AEC-Q101车规认证，适合严苛环境下的应用。其优化的开关特性有助于降低功耗，提高系统整体能效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFS5826NLWFT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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