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Datasheet下载- 型号： TK20J60U(F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK20J60U(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK20J60U(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK20J60U(F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 20A（Ta） 190W（Tc） TO-3P（N）。您可以下载TK20J60U(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK20J60U(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 生产的 TK20J60U(F) 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和功率管理的电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理系统： - TK20J60U(F) 适用于各种电源转换应用，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等。它能够高效地进行电压调节和电流控制，确保系统稳定运行。 - 在电池管理系统（BMS）中，该 MOSFET 可用于充电和放电控制，保护电池免受过充、过放和短路的影响。 2. 电机驱动： - 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少发热，提高效率，延长电机寿命。 - 在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）和工业自动化设备中，TK20J60U(F) 可以实现精确的速度控制和扭矩调节。 3. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，TK20J60U(F) 常用于车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）和车载充电器（OBC）。它能够在严苛的工作环境下保持高性能和可靠性。 - 该 MOSFET 还可以用于汽车照明系统中的 LED 驱动，提供稳定的电流输出，确保灯光亮度一致且耐用。 4. 消费电子产品： - TK20J60U(F) 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中也有广泛应用。它可以作为负载开关或电源路径管理器件，优化电源分配并延长电池续航时间。 - 在智能家居设备（如智能插座、智能灯泡）中，该 MOSFET 可用于实现远程控制和节能功能。 5. 工业应用： - 在工业控制系统中，TK20J60U(F) 可用于信号隔离、传感器接口和通信模块。它的高耐压能力和快速开关速度使其适合处理复杂的工业环境中的各种信号。 总之，TK20J60U(F) 凭借其出色的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PNMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK20J60U&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK20J60U(F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20J60U点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TK20J60U(F) |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1470pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 其它名称 | TK20J60U(F)-ND |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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