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IRFU7440PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU7440PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU7440PBF价格参考¥3.98-¥3.98。International RectifierIRFU7440PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU7440PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU7440PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFU7440PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRFU7440PBF常用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力使其能够高效地控制电压和电流。 - 应用实例:笔记本电脑适配器、LED驱动器、家用电器电源模块。 2. 电机驱动 - 该MOSFET适用于中小型直流电机的驱动电路,特别是在需要快速开关和低功耗的应用中。 - 应用实例:风扇控制、电动工具、玩具电机驱动。 3. 负载开关 - 在需要动态控制负载电流的场景中,IRFU7440PBF可以用作高效的负载开关,提供低损耗的电流路径。 - 应用实例:电池管理系统(BMS)、USB充电器、汽车电子设备。 4. 逆变器电路 - MOSFET可用于逆变器的核心功率转换部分,将直流电转换为交流电。 - 应用实例:小型太阳能逆变器、不间断电源(UPS)。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中,IRFU7440PBF可以作为开关元件使用,快速切断异常电流以保护系统。 - 应用实例:电源保护模块、工业控制系统。 6. 音频放大器 - 由于其快速开关特性和低导通电阻,IRFU7440PBF也可用于D类音频放大器的输出级,提供高效的功率输出。 - 应用实例:便携式音响、耳机放大器。 性能特点: - 低导通电阻:降低功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 耐热性能好:能够在较高温度环境下稳定工作。 总之,IRFU7440PBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,尤其在需要高效功率转换和开关操作的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 40V 90A I-PAKMOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU7440PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU7440PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 134 nC |
| Qg-栅极电荷 | 134 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 39 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4610pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 134nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 90A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 280 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 90A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |