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  • 型号: IRFU7440PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFU7440PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU7440PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU7440PBF价格参考¥3.98-¥3.98。International RectifierIRFU7440PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU7440PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU7440PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFU7440PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IRFU7440PBF常用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力使其能够高效地控制电压和电流。
   - 应用实例:笔记本电脑适配器、LED驱动器、家用电器电源模块。

 2. 电机驱动
   - 该MOSFET适用于中小型直流电机的驱动电路,特别是在需要快速开关和低功耗的应用中。
   - 应用实例:风扇控制、电动工具、玩具电机驱动。

 3. 负载开关
   - 在需要动态控制负载电流的场景中,IRFU7440PBF可以用作高效的负载开关,提供低损耗的电流路径。
   - 应用实例:电池管理系统(BMS)、USB充电器、汽车电子设备。

 4. 逆变器电路
   - MOSFET可用于逆变器的核心功率转换部分,将直流电转换为交流电。
   - 应用实例:小型太阳能逆变器、不间断电源(UPS)。

 5. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护等电路中,IRFU7440PBF可以作为开关元件使用,快速切断异常电流以保护系统。
   - 应用实例:电源保护模块、工业控制系统。

 6. 音频放大器
   - 由于其快速开关特性和低导通电阻,IRFU7440PBF也可用于D类音频放大器的输出级,提供高效的功率输出。
   - 应用实例:便携式音响、耳机放大器。

 性能特点:
- 低导通电阻:降低功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 耐热性能好:能够在较高温度环境下稳定工作。

总之,IRFU7440PBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,尤其在需要高效功率转换和开关操作的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 40V 90A I-PAKMOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

180 A

Id-连续漏极电流

180 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU7440PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFU7440PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

134 nC

Qg-栅极电荷

134 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.9 V

上升时间

39 ns

下降时间

34 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4610pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

134nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 90A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

51 ns

功率-最大值

140W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

280 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

90A (Tc)

通道模式

Enhancement

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