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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP47P06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP47P06价格参考¥8.47-¥17.52。Fairchild SemiconductorFQP47P06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 60V 47A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP47P06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP47P06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP47P06 是由 ON Semiconductor 生产的一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个晶体管类型。该型号的 MOSFET 在许多应用场景中具有广泛的用途,尤其是在需要高效开关和低导通电阻的应用中表现优异。 主要应用场景: 1. 电源管理: - FQP47P06 常用于低压电源管理系统中,例如电池供电设备、便携式电子设备等。它可以作为负载开关,控制电路的通断,确保在不需要供电时切断电流,从而节省能源。 2. 电机驱动: - 在小型直流电机驱动应用中,FQP47P06 可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和方向切换。其低导通电阻特性有助于减少发热,提高效率。 3. 继电器替代: - 由于其快速开关特性和较低的成本,FQP47P06 可以替代传统的机械继电器,用于开关高电流或高电压负载。它能够提供更长的使用寿命和更高的可靠性。 4. LED 驱动: - 在 LED 照明系统中,FQP47P06 可以用于调节 LED 的亮度或实现 PWM(脉宽调制)控制。通过调整栅极电压,可以精确控制 LED 的电流,从而实现亮度调节。 5. 保护电路: - FQP47P06 可以用于过流保护、短路保护等电路中。当检测到异常电流时,MOSFET 可以迅速关断,防止损坏其他电路元件。 6. 逆变器和转换器: - 在 DC-DC 转换器和逆变器中,FQP47P06 可以作为开关元件,帮助实现高效的电压转换。其低导通电阻有助于减少能量损耗,提高整体效率。 总结: FQP47P06 的主要优势在于其低导通电阻、快速开关速度和较高的电流承载能力。这些特性使其非常适合用于电源管理、电机驱动、继电器替代、LED 驱动以及各种保护电路中。无论是工业应用还是消费电子产品,FQP47P06 都能提供可靠的性能和高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 47A TO-220MOSFET 60V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 47 A |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP47P06QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP47P06 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 160 W |
| Pd-功率耗散 | 160 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 450 ns |
| 下降时间 | 195 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 23.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 47A (Tc) |
| 系列 | FQP47P06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP47P06_NL |