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Datasheet下载- 型号： MRF6VP3450HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP3450HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP3450HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP3450HR6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 1.4A 860MHz 22.5dB 90W NI-1230。您可以下载MRF6VP3450HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP3450HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF6VP3450HR6 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，属于NXP的LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）产品系列，广泛应用于高功率射频放大场合。该器件工作频率范围宽，输出功率高，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于450MHz至512MHz频段。 主要应用场景包括： 1. 工业、科学和医疗（ISM）设备：用于射频能量加热、等离子体生成、医疗射频治疗设备等需要稳定高频大功率输出的系统。 2. 公共安全与商业通信：广泛用于UHF频段的陆地移动无线电（LMR）基站，如警察、消防、应急通信系统中的高功率射频放大模块。 3. 广播发射系统：适用于FM广播或数字音频广播（DAB）发射机中的末级功率放大，提供高效、线性度良好的信号输出。 4. 航空与国防通信：在战术通信设备、空中交通管制雷达及军用无线系统中，用于实现远距离、高可靠性的射频信号传输。 MRF6VP3450HR6采用高可靠性陶瓷封装（HR6），具备出色的散热性能和抗恶劣环境能力，适合长时间连续工作。其高增益和高效率特性有助于降低系统功耗，减少冷却需求，提升整体系统集成度与稳定性。因此，该器件是高要求射频功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 450W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP3450HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 其它名称 | MRF6VP3450HR6DKR |
| 功率-输出 | 90W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.5dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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