ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PZTA42T1G
Datasheet下载- 型号： PZTA42T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PZTA42T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PZTA42T1G价格参考￥0.94-￥2.99。ON SemiconductorPZTA42T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 500mA 50MHz 1.5W 表面贴装 SOT-223。您可以下载PZTA42T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PZTA42T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PZTA42T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件采用SOT-23小外形封装，具有体积小、可靠性高、开关响应快等特点，适用于多种电子电路中的信号放大与功率开关功能。 典型应用场景包括：便携式电子产品中的电源管理开关，如手机、平板和可穿戴设备中的LED驱动或负载开关；消费类电子设备中的音频信号放大电路；各类小型家电控制板中的继电器或指示灯驱动；以及工业控制模块中的低频信号处理与逻辑开关电路。由于其具备较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO达30V），PZTA42T1G也适合用于中等电压环境下的开关操作。 此外，该晶体管还广泛应用于传感器信号调理电路、DC-DC转换器的驱动级、微控制器I/O扩展接口等场景，尤其适合空间受限但需要稳定性能的高密度PCB设计。得益于安森美严格的制造工艺和产品一致性，PZTA42T1G在温度稳定性、噪声抑制和长期可靠性方面表现良好，适用于工业级工作温度范围（-55°C 至 150°C），满足严苛环境下的使用需求。 综上，PZTA42T1G是一款性价比高、应用灵活的通用NPN晶体管，特别适用于中小功率开关与放大电路，在消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子辅助系统中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS NPN 50MA 300V SOT223两极晶体管 - BJT 500mA 300V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor PZTA42T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PZTA42T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 2mA，20mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 30mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | PZTA42T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-4 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | PZTA42 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.05 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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