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  • 型号: 3LP01C-TB-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3LP01C-TB-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LP01C-TB-H价格参考。ON Semiconductor3LP01C-TB-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3LP01C-TB-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3LP01C-TB-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的3LP01C-TB-H是一款P沟道增强型MOSFET,属于低功率、小封装的场效应晶体管。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压和高开关效率等特点,适用于对空间和功耗敏感的应用场景。

其主要应用场景包括便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,常用于电源管理中的负载开关、电池供电切换、过压/过流保护电路等。由于其小型化封装(如DFN或类似封装),非常适合高密度PCB布局设计。此外,3LP01C-TB-H也广泛应用于DC-DC转换器、电压反转电路以及各类低电压逻辑控制开关中,实现高效能电平切换与功耗优化。

该MOSFET还适合工业控制模块、传感器供电控制、USB电源开关及物联网(IoT)终端设备等需要低静态电流和快速响应的场合。凭借ON Semiconductor一贯的高可靠性与稳定性,3LP01C-TB-H在消费类电子和轻工业领域表现出色,是中小型功率开关应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 100MA CP

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

3LP01C-TB-H

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7.5pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.4 欧姆 @ 50mA,4V

供应商器件封装

3-CP

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA (Ta)

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