【未分类_IRFR3411PBF】封装/厂家_IRFR3411PBF中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRFR3411PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3411PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3411PBF价格参考。International RectifierIRFR3411PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFR3411PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3411PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR3411PBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS)：IRFR3411PBF 的低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用，提高效率并降低功耗。
   - 电池充电器：用于锂离子电池或其他类型的电池充电电路中，控制充电电流和电压。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制：可用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机，提供高效且可靠的开关功能。
   - H 桥电路：在 H 桥设计中用作功率开关，实现电机的正转、反转和制动。

 3. 负载切换
   - 负载开关：在需要快速切换负载的应用中，如汽车电子、工业设备或消费电子产品中，用于保护电路免受过载或短路的影响。
   - 继电器替代：由于其固态特性和长寿命，可以替代传统机械继电器用于负载切换。

 4. 汽车电子
   - 车载电子系统：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等应用中，提供稳定的功率输出。
   - LED 照明驱动：在汽车 LED 灯具中用作驱动元件，调节电流以确保 LED 的亮度和稳定性。

 5. 工业自动化
   - 传感器接口：在工业控制系统中，用于驱动传感器或执行器。
   - 可编程逻辑控制器 (PLC)：作为 PLC 输出级的一部分，控制外部设备的运行。

 6. 消费类电子产品
   - 家用电器：如吸尘器、电风扇、加湿器等家电产品中的电机控制和电源管理。
   - 音频设备：在音频放大器中用作功率输出级，提供高效的信号放大。

 7. 通信设备
   - 基站电源：在通信基站的电源模块中，用于功率分配和管理。
   - 信号调制：在某些射频 (RF) 应用中，用作信号调制的开关元件。

 总结
IRFR3411PBF 凭借其低 Rds(on)、高耐压（60V）和优异的热性能，在各种需要高效功率转换和开关的应用中表现出色。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子领域，这款 MOSFET 都能提供可靠且高效的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 100V 32A DPAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 48nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	32 A
Id-连续漏极电流	32 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3411PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFR3411PBF
Pd-PowerDissipation	130 W
Pd-功率耗散	130 W
Qg-GateCharge	48 nC
Qg-栅极电荷	48 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	44 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	44 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	35 ns
下降时间	35 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	71nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	44 毫欧 @ 16A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	*IRFR3411PBF
典型关闭延迟时间	39 ns
功率-最大值	130W
功率耗散	130 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	44 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	48 nC
标准包装	75
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	32 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	32A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V