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Datasheet下载- 型号： STP17N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
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STP17N62K3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP17N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP17N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTP17N62K3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 620V 15.5A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP17N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP17N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STP17N62K3是一款N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻等特点，广泛应用于需要高效功率转换的场合。该器件的漏源击穿电压为620V，适合中高功率应用。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中，提升转换效率并减小体积。 2. 工业电源与DC-DC转换器：在工业控制系统中用于高效电能转换，支持宽输入电压范围。 3. 照明系统：如LED驱动电源，利用其高效能特性实现节能。 4. 电机驱动：适用于小型电机或风扇控制电路，提供快速开关与良好热稳定性。 5. 家用电器：如电磁炉、微波炉等需功率控制的家电中，作为开关元件使用。 该MOSFET采用TO-220或D2PAK封装，便于散热和安装，适用于多种功率电子设备的设计与优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 15A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP17N62K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-10711-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF214815?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.5A （Tc） |
