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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN2106A由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN2106A价格参考。Diodes Inc.ZVN2106A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVN2106A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVN2106A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN2106A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于低电压、中功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的电源开关或负载开关,如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备中的 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件使用,常见于玩具、家用电器和自动化设备中。 3. LED 驱动与照明控制:可用于 LED 灯具的调光或开关控制电路,特别是在需要 PWM 调光方式的应用中表现良好。 4. 工业控制:在 PLC(可编程逻辑控制器)或其他工业自动化设备中,作为继电器替代方案实现高速开关操作。 5. 保护电路:用于过流保护、负载突变保护等场合,因其具备一定的耐压和电流能力,适合构建简单的保护机制。 该器件采用 TO-92 封装,便于插件安装,适合通孔焊接工艺,在成本敏感且空间有限的设计中具有较高性价比。由于其导通电阻较低,适合用于要求效率较高的低功耗系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3MOSFET N-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 450 mA |
| Id-连续漏极电流 | 450 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN2106A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN2106A |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 18V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 1A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 450mA (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |