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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD100N3LF3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD100N3LF3价格参考。STMicroelectronicsSTD100N3LF3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD100N3LF3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD100N3LF3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD100N3LF3是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能,适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及汽车电子系统等场景。其30V耐压设计使其适合低压大电流应用,例如电池供电设备、工业自动化和消费类电子产品中的功率开关。此外,该MOSFET采用节能封装,符合绿色环保标准,适合高密度电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STD100N3LF3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2060pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 40A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF166014?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |