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IRF7488TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7488TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7488TRPBF价格参考。International RectifierIRF7488TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7488TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7488TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF7488TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电子设备和系统中。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点,适用于需要高效功率转换和控制的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流器和电源模块中,提升能效,降低损耗。 2. 电机驱动:用于直流电机、步进电机等驱动电路中,提供快速开关和高可靠性。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,用于控制电源对负载的供电,如在电池管理系统中。 4. 照明系统:应用于LED驱动电路,实现高效率恒流或恒压供电。 5. 工业自动化:用于PLC、工业控制设备中的功率开关和继电器替代。 6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理模块、充电器等。 IRF7488TRPBF采用TSSOP封装,适合表面贴装,便于自动化生产,适用于高密度和高性能要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7488TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7488TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 3.8A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7488TRPBF-ND |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.3A (Ta) |