Datasheet下载- 型号： IRF620SPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF620SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF620SPBF价格参考。VishayIRF620SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF620SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF620SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF620SPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRF620SPBF适合用作开关管，用于DC-DC转换器、反激式变换器等开关电源设计中。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为高侧或低侧开关，控制电机的启动、停止及速度调节。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的情况下，例如汽车电子系统中的继电器替代方案，IRF620SPBF能够提供可靠的电流切换功能，同时降低功耗和热生成。 4. 电池保护与管理：适用于便携式设备如笔记本电脑、智能手机和平板电脑中的电池管理系统（BMS），以实现过流保护、短路保护以及精确的电流控制。 5. 音频放大器：在某些D类音频放大器设计中，这款MOSFET可以用作输出级元件，帮助实现高效能的声音信号放大的同时保持较低失真度。 6. 逆变器：对于小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器应用来说，IRF620SPBF可以参与构建H桥结构，从而将直流电转化为交流电供给家用电器使用。 7. LED照明：在大功率LED驱动电路里充当PWM调光控制器或者恒流源的一部分，确保LED灯珠获得稳定的工作电流。 总之，凭借其优异的电气性能参数，包括但不限于最大漏源电压50V、连续漏极电流可达11A（@Tc=25°C）、典型栅极电荷量小等特点，IRF620SPBF成为众多中低压功率转换与控制场合的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91028 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF620SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF620SPBFIRF620SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF620SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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