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RFD12N06RLESM9A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD12N06RLESM9A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD12N06RLESM9A价格参考¥2.64-¥4.26。Fairchild SemiconductorRFD12N06RLESM9A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA。您可以下载RFD12N06RLESM9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RFD12N06RLESM9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD12N06RLESM9A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - RFD12N06RLESM9A 的低导通电阻(典型值为 0.055 Ω)和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - 常见应用包括 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及电池充电器等。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用作电机驱动电路中的开关元件,适用于小型直流电机或步进电机的控制。 - 其快速开关速度和低损耗特性有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 负载开关 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,RFD12N06RLESM9A 可作为负载开关使用,用于动态管理不同负载的供电。 - 它能够实现快速开启/关闭,并减少功耗。 4. 电池保护电路 - 该器件可用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中,防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 - 其低导通电阻有助于降低电池保护电路中的能量损耗。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中,RFD12N06RLESM9A 可用于将直流电转换为交流电,支持家用电器或工业设备的供电需求。 6. LED 驱动 - 该 MOSFET 可用于 LED 照明系统的恒流驱动电路中,提供高效且稳定的电流控制。 - 其低导通电阻特性有助于减少热量产生,提高系统可靠性。 7. 信号放大与缓冲 - 在一些低频信号处理电路中,RFD12N06RLESM9A 可用作信号放大或缓冲元件,确保信号传输的稳定性和完整性。 总结 RFD12N06RLESM9A 的高性能参数(如低导通电阻、高击穿电压 60V 和最大漏极电流 12A)使其成为许多电力电子应用的理想选择。它特别适合需要高效能、低功耗和高可靠性的场景,例如消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAKMOSFET 60V Single |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
Id-连续漏极电流 | 17 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFD12N06RLESM9AUltraFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | RFD12N06RLESM9A |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 49 W |
Pd-功率耗散 | 49 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
上升时间 | 89 ns, 34 ns |
下降时间 | 37 ns, 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 485pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 63 毫欧 @ 18A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | RFD12N06RLESM9A-ND |
典型关闭延迟时间 | 22 ns, 41 ns |
功率-最大值 | 49W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A |
系列 | RFD12N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | RFD12N06RLESM9A_NL |