ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD23381F4
Datasheet下载- 型号： CSD23381F4
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD23381F4由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD23381F4价格参考。Texas InstrumentsCSD23381F4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR。您可以下载CSD23381F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD23381F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD23381F4是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，属于超小型、高性能功率MOSFET系列，采用1.0mm × 1.0mm DFN封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，作为负载开关或电源管理模块中的开关元件，因其低导通电阻（Rds(on)典型值为27mΩ）和小封装，有助于提高能效并节省PCB空间。 2. DC-DC转换器：在同步降压（Buck）或升压（Boost）转换电路中作为整流或开关器件，支持高效电源转换，适用于移动电源、USB充电模块等。 3. 电机驱动与LED驱动：可用于微型电机控制或LED背光驱动电路，凭借快速开关特性和低功耗表现，提升系统响应速度与能效。 4. 热插拔与电源开关设计：在需要软启动或过流保护的电源路径中，作为理想二极管或高边开关使用，防止电流倒灌和浪涌电流。 5. 工业与消费类电子：如无线耳机充电仓、智能家居传感器、IoT终端设备等对尺寸和功耗敏感的应用场景。 CSD23381F4具备低栅极电荷、优良的热性能和高可靠性，适合高频开关操作，配合TI其他电源管理芯片（如TPS系列）可实现紧凑高效的电源解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V LGAMOSFET 12V P-CH FemtoFET MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd23381f4 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD23381F4NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD23381F4 |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 1.14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 480 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.95 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 950 mV |
| 上升时间 | 3.9 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 236pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 500mA， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，无引线 |
| 封装/箱体 | PicoStar-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Ta） |
| 系列 | CSD23381F4 |
| 配置 | Single Channel |
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