Datasheet下载- 型号： SI2318DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2318DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2318DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2318DS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2318DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2318DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2318DS-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件广泛应用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备中。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理开关、电池保护电路或负载开关，因其低功耗和小型封装非常适合紧凑设计。 2. 电源管理：在DC-DC转换器、LDO控制器及电压调节模块中作为开关元件，提升转换效率。 3. 信号切换：用于模拟或数字信号的开关控制，例如音频线路切换或多路复用系统。 4. 电机驱动与LED驱动：适用于微型电机控制或低功率LED照明驱动电路，实现高效开关控制。 5. 消费类电子与工业控制：如家用电器、传感器模块、智能电表等，用于逻辑控制或小功率负载驱动。 SI2318DS-T1-GE3具备-20V漏源电压和-3.7A连续漏极电流能力，栅极阈值电压低（典型值0.8V），可直接由低压逻辑信号驱动，兼容现代微控制器输出，简化电路设计。其高性价比和稳定性能使其成为中小功率开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2318DS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2318DS-T1-GE3SI2318DS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2318DS-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2318DS-GE3 |
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