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IRFI4229PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI4229PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI4229PBF价格参考。International RectifierIRFI4229PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 250V 19A(Tc) 46W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFI4229PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI4229PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFI4229PBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。这款器件属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于多种应用场景。 1. 电源管理:IRFI4229PBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高电源效率。此外,它还适用于不间断电源(UPS)系统中的功率控制部分,确保在市电中断时能够快速切换到备用电源。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。由于其快速的开关特性和较低的Rds(on),可以有效降低电机驱动电路中的能耗,提升系统的整体性能。 3. 工业自动化:在工业控制系统中,IRFI4229PBF可用于实现负载开关、继电器替代等功能。它能够承受较高的电流和电压波动,适合用于工厂自动化设备、机器人控制器等场合。 4. 汽车电子:在汽车应用领域,IRFI4229PBF可用于车身控制系统、电动助力转向(EPS)、制动系统以及车载充电器等。其坚固耐用的设计使其能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。 5. 消费类电子产品:对于便携式设备如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等,IRFI4229PBF同样表现出色。它可以提供高效能的功率传输,同时保持较小的体积和重量,满足现代消费电子产品对小型化的要求。 总之,Infineon Technologies的IRFI4229PBF凭借其卓越的电气特性,在众多电力电子应用中发挥着重要作用,成为工程师们设计高性能电路的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FPMOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI4229PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFI4229PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 46 W |
| Pd-功率耗散 | 46 W |
| Qg-GateCharge | 73 nC |
| Qg-栅极电荷 | 73 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 46 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 26 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |