Datasheet下载- 型号： IRLD120
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD120由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD120价格参考。VishayIRLD120封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLD120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLD120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLD120 是 Vishay Siliconix（威世科技）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于小功率 MOSFET，常用于低电压开关应用。其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和小尺寸封装，适用于需要高效能和紧凑设计的电路。 应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制，适用于便携式电子产品如手机、平板电脑和笔记本电脑。 2. 电机驱动：用于小型电机、步进电机或直流电机的控制电路中，尤其适合低电压（如5V或12V）电机控制系统。 3. LED照明：作为LED驱动电路中的开关元件，用于调节亮度或实现PWM调光功能。 4. 工业控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代、传感器接口电路中的开关控制。 5. 通信设备：应用于网络设备、路由器、交换机等设备中的电源管理和信号切换电路。 6. 汽车电子：如车载娱乐系统、车灯控制模块、电动车窗控制等低功耗应用场景。 该器件采用SOT-23封装，便于表面贴装，适合高密度PCB布局，适用于需要高效、小型化设计的各类电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD120- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLD120IRLD120 |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 64 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 780mA，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRLD120 |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1300 mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 270 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |
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